2024-03-31

ATM-PNT-2112-012 SiC2晶体试磨案-掏棒外径平面-加工测试报告


1.目前在第三代半导体晶片，大部分采用单晶SIC，透明度较高的属于处理

器晶片，含碳量较高比较黑的SIC，属于功率元件晶片。

4”晶圆的毛胚晶砣外径大约6"(150mm)，掏料的钻石刀具内径约103mm。所

以掏料崩边1-1.5mm都还是被允许，两端面整平也大概要加工掉1-1.5mm。

研磨外径时基本没有崩边，只能算是有毛刺。晶棒初整形完成之后，进行切

片，切片完成之后，每一片都需要经过整平、减薄、抛光、清洗，
反覆工程之后才完成Wafer。

2.以上制程在4”方面基本都是比较成熟，也在逐步优化提升良率。6”的部

份目前不良率较高，持续精进中!当然8”的晶砣也持续在优化制程以及良率

。

第三代半导体我想依然会在多年之后，与SI晶圆一样以12”为主，甚至进化

到16”-18”。

(6”晶砣只能掏出4”晶棒，8”晶砣估计也只能掏出6”晶棒)

3.加工的难度在于，刀具是钻石刀具，工件硬度接近钻石(莫适硬度约9.5)

，但是脆度又高于钻石。此次测试最主要是要找到合适的钻石刀具的外型、

烧结方式等条件。一次测试刀具就废掉几万台币的费用，但是希望对于FVGC

的推展有所助益。

附加档案提供您一个初成形的制程图，以方便理解!



目前单晶SIC长晶4”制程已经成熟，厚度大概只有不到30mm，预计可以切

割成20-25片晶圆。目前SIC长晶继续朝厚度以及直径6”晶砣发展。

切削测试报告是以FVGC-50S试加工(掏棒)4”晶圆，研磨外圆为主。两端面

整平建议采用平面磨床研磨，一次可以6-8个一盘为原则，反面整平。



整平如采用旋转台磨床，虽然加工效率较高，但是一次只能研磨一件，适合

于8”以上晶砣或晶片研磨。



测试报告中主轴并未采用超声波主轴，由于单晶SIC的硬度类钻石，脆度更

高!如采用超声波应是效果会更好!