2024-03-31

ATM-PNT-2112-012 SiC2晶體試磨案-掏棒外徑平面-加工測試報告


1.目前在第三代半導體晶片，大部分採用單晶SIC，透明度較高的屬於處理

器晶片，含碳量較高比較黑的SIC，屬於功率元件晶片。

4”晶圓的毛胚晶砣外徑大約6"(150mm)，掏料的鑽石刀具內徑約103mm。所

以掏料崩邊1-1.5mm都還是被允許，兩端面整平也大概要加工掉1-1.5mm。

研磨外徑時基本沒有崩邊，只能算是有毛刺。晶棒初整形完成之後，進行切

片，切片完成之後，每一片都需要經過整平、減薄、拋光、清洗，
反覆工程之後才完成Wafer。

2.以上製程在4”方面基本都是比較成熟，也在逐步優化提升良率。6”的部

份目前不良率較高，持續精進中!當然8”的晶砣也持續在優化製程以及良率

。

第三代半導體我想依然會在多年之後，與SI晶圓一樣以12”為主，甚至進化

到16”-18”。

(6”晶砣只能掏出4”晶棒，8”晶砣估計也只能掏出6”晶棒)

3.加工的難度在於，刀具是鑽石刀具，工件硬度接近鑽石(莫適硬度約9.5)

，但是脆度又高于鑽石。此次測試最主要是要找到合適的鑽石刀具的外型、

燒結方式等條件。一次測試刀具就廢掉几萬臺幣的費用，但是希望對於FVGC

的推展有所助益。

附加檔案提供您一個初成形的製程圖，以方便理解!



目前單晶SIC長晶4”製程已經成熟，厚度大概只有不到30mm，預計可以切

割成20-25片晶圓。目前SIC長晶繼續朝厚度以及直徑6”晶砣發展。

切削測試報告是以FVGC-50S試加工(掏棒)4”晶圓，研磨外圓為主。兩端面

整平建議採用平面磨床研磨，一次可以6-8個一盤為原則，反面整平。



整平如採用旋轉台磨床，雖然加工效率較高，但是一次只能研磨一件，適合

于8”以上晶砣或晶片研磨。



測試報告中主軸並未採用超聲波主軸，由於單晶SIC的硬度類鑽石，脆度更

高!如採用超聲波應是效果會更好!